Приведу на примере классического ВК по схеме ОК, с двухэтажным питанием.
Итак. Усилитель по верхней частоте усиливает сигнал до 1 мГц, попустим.
Коммутатор имеет урезанную скорость управления по ВЧ на 50-70 кГц например.
Подам на усилок сигнал с частотой в 100 кГц.
Вроде сам усилитель и отрабатывает, но коммутатор не успевает. Но, в моменты, когда УН вваливает в драйверный каскад амплитуду выше u/2, и при этом коммутатор не успевает включиться, на базу драйверного транзистора поступает напряжение свыше, чем на его коллекторе. Если транзисторы этого каскада по напряжению КБ хилые - можно спалить транзистор.
В другом случае - вводим транзистор в насыщение. Чем чревато? Слишком долго закрывается транзистор при выведении с насыщенного состояния. А на частотах 100 кгц и выше - это особенно заметно. Ну и получаем, что УН уже сменил полярность сигнала на отрицательный и, противоположный, драйверный транзистор пошел на открытие, а верхний еще только закрывается.
Так как эмиттеры драйверных транзисторов жестко связаны с базами транзисторов ВК - получаем одновременное открытие обеих плеч, на которое, защита по плечам с подрезкой амплитуды как бы особо не повлияет на процесс ускорения закрытия транзистора.
Ситуация выходит по мягче, если эмиттеры драйверных резисторов не только подтянуты резисторами к выходу, но и еще между эмиттерами включен один резистор, номиналом вчетверо ниже, чем предыдущие. Я говорю за тот один, что базы транзисторов ВК плеч соединяет - плавающее включение баз ВК.
При резкой смене полярности в УН на базе не закрытого еще транзистора прикладывается отрицательное напряжение, что немного быстрее его выводит из насыщения.
В любом случае, в линейном усилителе, работа транзисторов в каких-либо каскадах в режиме насыщения не есть хорошей. Если УН в обычном усилке насыщается и идет урезание синусоиды к трапеции - усилок тогда хорошо звучит?
Тогда и УН может больше тепла выделять. Хорошо, что в их эмиттерах резисторы стоят - того и не сгорают, как правило.
Это хорошо, что лиммитеры применяют в усилках на нелинейность. Они и реагируют нормально на эти моменты.
У ВК по типу ОЭ тоже можно запросто отхватить сквозняк из-за насыщения драйверного транзистора по плечу. Ну и в этой схемотехнике что и на ВК, что и на драйверный каскад не получиться подать отрицательное напряжение на ускоренное закрытие - свойством схемотехники.
Но в этой схемотехнике сквозняк еще мощно получить, не вводя транзисторов в насыщение - это базовый резистор с плеч ВК. Он по сути базы транзисторов ВК и разряжает, обеспечивая им закрытие. Это даже при условии, что драйверный транзистор не насыщается и работает нормально.
Там чисто по высокой частоте, что подается на усилитель - можно греть ВК сквозными токами. Это единый минус схемотехники, так как по сути только резистор закрывает ВК.
В классической схемотехнике с ОК в мемент смены полярности базовый резистор тоже закрывает ВК, но он, при плавающем включении закрывает его отрицательным напряжением, что более продвинуто.
|